國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）投產(chǎn)

(記者 仇惠棟) 9月6日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會在南京市江寧開發(fā)區(qū)舉行。國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)一期項目竣工投產(chǎn)。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)主任陳辰介紹，經(jīng)過摸底調(diào)研，該中心排出國家重點(diǎn)需求在新能源汽車、光伏、軌道交通、高壓輸變電、智能電網(wǎng)等五大跑道，確定了攻堅“新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)產(chǎn)品”和“面向智能電網(wǎng)和高鐵應(yīng)用的高壓大功率碳化硅電力電子器件”兩大方向，從碳化硅電力電子的基礎(chǔ)理論、材料生長、器件制備、系統(tǒng)應(yīng)用等四個方面，聯(lián)合生態(tài)伙伴們一道攻關(guān)。

該中心一期項目依托中電集團(tuán)55所原有廠房區(qū)域，以存量帶增量的方式，打造6英寸SiC(碳化硅)電力電子器件研發(fā)與中試平臺，在國內(nèi)率先突破6英寸碳化硅MOSFET批量生產(chǎn)技術(shù)，形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的碳化硅器件技術(shù)體系。二期項目計劃于2024年開建，工廠將打造8英寸第三代半導(dǎo)體芯片制造、先進(jìn)晶圓封裝、模塊封裝平臺。

活動現(xiàn)場集中簽約的10個項目，形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局。