ASML未來(lái)四代EUV光刻機(jī)進(jìn)度披露：正向1nm邁進(jìn)

日前，ASML產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Mike Lercel向媒體分享了EUV(極紫外)光刻機(jī)的最新進(jìn)展。

ASML現(xiàn)在主力出貨的EUV光刻機(jī)分別是NXE：3400B和3400C，它們的數(shù)值孔徑(NA)均為0.33，日期更近的3400C目前的可用性已經(jīng)達(dá)到90%左右。

預(yù)計(jì)今年年底前，NXE：3600D將開(kāi)始交付，30mJ/cm2下的晶圓通量是160片，比3400C提高了18%，機(jī)器匹配套準(zhǔn)精度也增加了，它預(yù)計(jì)會(huì)是未來(lái)臺(tái)積電、三星3nm制程的主要依托。

在3600D之后，ASML規(guī)劃的三代光刻機(jī)分別是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，其中從EXE：5000開(kāi)始，數(shù)值孔徑提高到0.55，但要等待2022年晚些時(shí)候發(fā)貨了。

由于光刻機(jī)從發(fā)貨到配置/培訓(xùn)完成需要長(zhǎng)達(dá)兩年時(shí)間，0.55NA的大規(guī)模應(yīng)用要等到2025~2026年了，服務(wù)的應(yīng)該是臺(tái)積電2nm甚至1nm等工藝。

0.55NA比0.33NA有著太多優(yōu)勢(shì)，包括更高的對(duì)比度、圖形曝光更低的成本、更高的生產(chǎn)效率等。

當(dāng)然，硅片、曝光潔凈室逼近物理極限，也是不容小覷的挑戰(zhàn)?，F(xiàn)今5nm/7nm光刻機(jī)已然需要10萬(wàn)+零件、40個(gè)集裝箱，而1nm時(shí)代光刻機(jī)要比3nm還大一倍左右，可想而知了。