臺積電首次披露2nm關鍵指標：納米片帶來史上最大飛躍

臺積電今天線上舉辦2021年度技術研討會，公布了未來新工藝進展，6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息傳來。

2nm目前是各大半導體巨頭角逐的制高點，IBM甚至已經(jīng)在實驗室內(nèi)搞定，率先公布了2nm芯片，而除了臺積電、三星兩大代工巨頭，歐洲、日本也在野心勃勃地規(guī)劃。

不同于之前世代在相同的基礎架構上不斷演進，臺積電的2nm工藝將是真正全新設計的，號稱史上最大的飛躍，最大特點就是會首次引入納米片(nanosheet)晶體管，取代現(xiàn)在的FinFET結構。

臺積電表示，納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓(Vt)——在半導體領域，Vt是電路運行所需的最低電壓，它的任何輕微波動，都會顯著影響芯片的設計、性能，自然是越小越好。

臺積電宣稱，根據(jù)試驗，納米片晶體管可將Vt波動降低至少15%。

目前，臺積電的2nm工藝剛剛進入正式研發(fā)階段，此前消息是2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。